產品名稱

中文名稱: 純進口HQ graphene 硒化鎵晶體

英文名稱：HQ graphene  2H phase Gallium Selenide

產品概述

GaSe （2H相）是一種間接帶隙為~2.1 eV的半導體。GaSe已被用作半導體、光導體、非線性光學中的二次諧波產生晶體和遠紅外轉換材料。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。GaSe屬于13族過渡后金屬單硫族化合物。硒化鎵的2H相具有典型的橫向尺寸為~0.6 ~ 0.8 cm，具有深銅金屬外觀。 

GaSe (2H phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.1 eV. GaSe has been used as a semiconductor, photoconductor, a second harmonic generation crystal in nonlinear optics and as a far-infrared conversion material. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. GaSe belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.

The 2H phase of Gallium Selenide has a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and has a dark-copper metallic appearance.

技術參數

純度: 99.995%

尺寸:0.6 ~ 0.8 cm

顏色: 棕色

產品特點

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°

Type：Synthetic

應用領域

在光電領域：

太陽能電池：硒化鎵晶體具有合適的能帶結構和較高的光吸收系數，可用于制造高效的太陽能電池。例如，在多結太陽能電池中，硒化鎵可以作為其中的一個子電池，吸收特定波長的太陽光，從而提高整個電池的光電轉換效率。

光電探測器：能夠對特定波長的光產生響應，可用于制造高性能的光電探測器。比如在紅外光電探測器中，硒化鎵晶體可以檢測到紅外光信號，并將其轉換為電信號。

在半導體領域：

半導體器件：可用于制造各種半導體器件，如晶體管、場效應管等。例如，在高頻和高速電子器件中，硒化鎵晶體的優良電學性能有助于提高器件的工作頻率和速度。

在光學領域：

非線性光學材料：具有非線性光學特性，可用于制作倍頻器、光調制器等非線性光學器件。比如在激光系統中，硒化鎵晶體可以實現激光頻率的倍頻。